在全球第二大DRAM芯片制造商的密切关注之下，2D或者说平面NAND仍将在3D技术普及之前继续统治存储领域。作为佐证，美光（Micron）公司有意将这套已出现两年的NAND设计方案推向16纳米工艺、甚至更进一步。

　　我们采访了美光公司NAND解决方案部门副总裁GlenHawk，他简要介绍了方案的变化情况。作为存储业务的直接负责人，他首先谈到美光在闪存业务方面的两大基本原则。

　　第一，他认为美光是一家闪存代工厂商，而“闪存制造商身份使其在SSD领域具有先天优势。”从本质上讲，他们的供应链条更具确定性——许多存储企业由于缺乏对下一代芯片的了解而惨遭市场淘汰——同时能凭借自身优势将闪存设计、控制器功能以及固件方案进行整合。第二，美光始终专注于企业级市场。

　　下面我们将采访中提出的问题进行归类，并以言简意赅的方式归纳他的回答。

　　记者：美光公司对于闪存软件的态度是怎样的？

　　GlenHawk：软件显然是以后才需要考虑的对象。我们的最佳策略在于同客户紧密合作，利用对方的专业知识解决软件难题。目前软件对于我们的企业发展影响还不明显。

　　记者：美光公司对于NVMe的态度又是怎样？

　　GlenHawk：这才是我们需要关注的内容。目前市场上已经出现一些来自竞争对手的标准，我们将根据客户的需要提供相应支持。

　　记者：美光公司怎么看3bit每单元（简称TLC）闪存？

　　GlenHawk：我们拥有一套强大的TLC芯片组合。根据我们的策略，每种光刻技术都拥有与之对应的SLC、MLC与TLC产品。我们会根据不同市场周期推出不同的存储产品。

　　目前闪存市场处于供不应求的状态，我们在努力为希望使用SLC及MLC产品的客户提供服务。不过我们的生产能力有限，仅够勉强供应客户需要的SLC及MLCSSD。有鉴于此，我们在很长一段时间内都不太可能推出TLCSSD产品。

　　记者：请再聊聊128Gbit产品。

　　GlenHawk：我们目前已经开始大批量生产20纳米128Gbit产品。我们还在尝试通过16纳米工艺生产128Gbit产品——容量本身并无区别，但体积更小。美光目前正在调整SSD开发与光刻工艺，并计划在2014年前半年推出16纳米SSD。

　　两年前，我们对基础平面单元架构做出了改动、尝试采用高K绝缘栅介质与金属栅极结构。这两大方案的引入使我们成功迈向规模化生产，也将成为16纳米光刻技术走向现实的重要基础。

　　记者：美光会不会再次革新平面光刻工艺或者选择3D方案？

　　GlenHawk：目前我们在同时尝试这两条路线。3D技术成本拐点的出现时间取决于我们能将多少闪存单元彼此重叠。

　　(注：作为全球第一大NAND供应商，三星公司刚刚公布了其量产型垂直堆叠3DV-NAND。目前的方案采用三层128Gbit结构，最终将发展为二十四层，搭配Through-SiliconVias（简称TSV）互连技术。三星并未透露该芯片使用的具体光刻技术类型。)

　　记者：什么样的客户愿意将PCIe闪存与服务器相结合，服务器制造商还是其它企业？

　　GlenHawk：我想服务器制造商应该是PCIe闪存卡整合趋势的主要推动者，例如惠普、戴尔以及IBM等服务企业级客户的厂商。不过目前的市场正在发生变化，我们需要做好多手准备。

　　我认为Fusion-io公司将不可避免地将更多精力集中在软件开发领域。不少OEM厂商也将参与进来，市场的价值链条将迎来重组

　　记者：您怎么看闪存技术领域中的诸多收购案例？

　　GlenHawk：目前，美光公司在疯狂的收购浪潮中始终保持冷静。我们一路走来，依靠自身资源从无到有建立起自己的技术实力。当然，我们也是市场中的一员，而且曾经在英国收购过Virtensys公司。不过总体而言，当前的收购对象估值过高，这反映出收购方与被收购方之间巨大的实力差距。

　　此外，收购方的交易案例很可能被视为向客户挑衅的举动。

　　记者：当下情况似乎已经很清楚，美光有能力利用自身16纳米技术创建容易更大的产品。16纳米芯片必然会在体积上小于20纳米芯片，这将帮助美光及其OEM伙伴顺利打造出在容量上超过当前产品的闪存设备。

　　举例来说，美光的M500客户机SSD使用20纳米NAND，其容量在120GB到960GB之间。我们估计16纳米工艺的介入会为其带来双倍容量，即240GB到1.92TB之间。

　　我们即将迎来闪存设备与阵列容量大幅提升的新时代，而这一切都要归功于由20纳米向16纳米演变的技术改进。