SanDisk正在以3DNAND为主打产品规划自己的技术路线——所谓3DNAND，是指在一块闪存芯片中对记录层加以堆叠，从而在同等空间中实现容量提升的方案。

　　SanDisk公司目前正在全力研发其最新BiCS（即Bit成本可扩展NAND）产品，预计将在2015年第四季度或者2016年正式与用户见面。

　　我们就这一话题咨询了ObjectiveAnalysis公司顾问兼分析师JimHandy，他表示：“BiCS并不属于堆叠式芯片，这种新方案其实相当昂贵。BiCS只是在同一块芯片中对数据加以堆叠。其NAND将采用纵向bit串排列而非传统的横向排列。”

　　新产品的制造对晶圆代工水平提出了新要求，其生产方式也与原先的NAND存在本质区别。举例来说，目前的各类NAND主要采用34纳米或者28纳米制造工艺，虽然精度有所区别，不过整个生产流程基本保持不变。但BiCS则完全不同：“最大的难题在于新产品彻底改变了生产方式，半导体制造商虽然能够接受10%到25%的流水线组件变动，但BiCS需要替换掉约四分之三的流水线组件。”

　　Handy表示其中“涉及更多蚀刻与沉积工艺，而不像当前的2DNAND那样主要依靠光刻技术。”

　　关于NAND产品的生产成本，他做出了如下说明：一般来说，厂商需要通过缩减芯片面积的方式来降低生产成本。然而堆叠式芯片的面积与普通芯片并无区别，因此无法通过传统手段控制产品价格。不过创建纵向结构（例如3DNAND或者FinFET）能够在相同面积中塞进更多晶体管/bit，这样芯片也就变相缩小了面积、降低了成本。

　　如果单块NAND芯片的面积得到缩减，厂商就能从一块标准晶圆中切割出更多芯片，从而降低单一产品的生产成本。东芝提供的BiCS技术演示图根据Handy的说明，SandDisk的BiCS计划还没有做好率先上市的准备。“在今年五月的股东会议上，SanDisk曾明确表示如果没有把握获得比1Z更高的投资回报率，他们将不会把BiCS推向市场。”

　　“尽管如此，已经有多位与会的投资分析师提出质疑，称SanDisk不该坐等机会溜走而甘愿屈居三星之下。因为根据传闻，三星也有意在年内推出其3DNAND方案。看起来他们似乎没有弄清楚市场先行者与赚得第一桶金者之间的区别。”

　　SanDisk这里需要解释一下，SanDisk所谓的1Z是指单元尺寸在10纳米与16纳米之间、且更接近10纳米的数字。